Gofret sof kremniydan (Si) qilingan. Odatda 6 dyuymli, 8 dyuymli va 12 dyuymli spetsifikatsiyalarga bo'lingan gofret ushbu gofret asosida ishlab chiqariladi. Kristalni tortib olish va kesish kabi jarayonlar orqali yuqori toza yarimo'tkazgichlardan tayyorlangan kremniy gofretlari gofretlar deb ataladi.foydalanish ular yumaloq shaklga ega. O'ziga xos elektr xususiyatlariga ega bo'lgan mahsulotlarga aylanish uchun turli xil elektron elementlar tuzilmalari kremniy gofretlarda qayta ishlanishi mumkin. funktsional integral mikrosxemalar mahsulotlari. Gofretlar juda kichik elektron konstruksiyalarni hosil qilish uchun bir qator yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish jarayonlaridan o'tadi, so'ngra turli xil elektron qurilmalarda keng qo'llaniladigan chiplarga kesiladi, qadoqlanadi va sinovdan o'tkaziladi. Gofret materiallari 60 yildan ortiq texnologik evolyutsiya va sanoat rivojlanishini boshdan kechirib, kremniy ustunlik qiladigan va yangi yarimo'tkazgich materiallari bilan to'ldirilgan sanoat vaziyatini shakllantirdi.
Dunyodagi mobil telefonlar va kompyuterlarning 80% Xitoyda ishlab chiqariladi. Xitoy o'zining yuqori samarali chiplarining 95 foizi importga tayanadi, shuning uchun Xitoy har yili chiplarni import qilish uchun 220 milliard AQSh dollarini sarflaydi, bu Xitoyning yillik neft importidan ikki baravar ko'pdir. Fotolitografiya mashinalari va chip ishlab chiqarish bilan bog'liq barcha jihozlar va materiallar ham bloklanadi, masalan, gofretlar, yuqori toza metallar, o'yma mashinalari va boshqalar.
Bugun biz gofret mashinalarining UV nurlarini o'chirish printsipi haqida qisqacha gaplashamiz. Ma'lumotni yozishda quyidagi rasmda ko'rsatilganidek, yuqori kuchlanishli VPPni darvozaga qo'llash orqali suzuvchi darvozaga zaryadni kiritish kerak. AOK qilingan zaryad kremniy oksidi plyonkasining energiya devoriga kirib borish uchun energiyaga ega emasligi sababli, u faqat status-kvoni saqlab qolishi mumkin, shuning uchun biz zaryadga ma'lum miqdorda energiya berishimiz kerak! Bu ultrabinafsha nurlar kerak bo'lganda.
Suzuvchi eshik ultrabinafsha nurlanishni qabul qilganda, suzuvchi eshikdagi elektronlar ultrabinafsha nur kvantlarining energiyasini oladi va elektronlar silikon oksidi plyonkasining energiya devoriga kirish uchun energiya bilan issiq elektronlarga aylanadi. Rasmda ko'rsatilganidek, issiq elektronlar kremniy oksidi plyonkasiga kirib, substrat va darvozaga oqib o'tadi va o'chirilgan holatga qaytadi. O'chirish operatsiyasi faqat ultrabinafsha nurlanishni qabul qilish orqali amalga oshirilishi mumkin va uni elektron tarzda o'chirib bo'lmaydi. Boshqacha qilib aytganda, bitlar soni faqat "1" dan "0" ga va teskari yo'nalishda o'zgartirilishi mumkin. Chipning butun tarkibini o'chirishdan boshqa yo'l yo'q.
Biz bilamizki, yorug'lik energiyasi yorug'lik to'lqin uzunligiga teskari proportsionaldir. Elektronlarning issiq elektronga aylanishi va shu tariqa oksid plyonkasiga kirib boradigan energiyaga ega bo'lishi uchun yorug'likning qisqaroq to'lqin uzunligi, ya'ni ultrabinafsha nurlari bilan nurlanishi juda zarur. O'chirish vaqti fotonlar soniga bog'liq bo'lgani uchun, hatto qisqa to'lqin uzunliklarida ham o'chirish vaqtini qisqartirib bo'lmaydi. Odatda, o'chirish to'lqin uzunligi 4000A (400nm) atrofida bo'lganda boshlanadi. U asosan 3000A atrofida to'yinganlikka etadi. 3000A dan past bo'lsa ham, to'lqin uzunligi qisqaroq bo'lsa ham, u o'chirish vaqtiga hech qanday ta'sir qilmaydi.
UVni yo'q qilish standarti odatda aniq to'lqin uzunligi 253,7 nm va intensivligi ≥16000 mkVt / sm² bo'lgan ultrabinafsha nurlarni qabul qiladi. O'chirish operatsiyasi 30 daqiqadan 3 soatgacha bo'lgan ta'sir qilish vaqti bilan yakunlanishi mumkin.
Yuborilgan vaqt: 22-dekabr 2023-yil